對 MOS管來說，如果將兩個 GS之間的電壓從0拉至管子開啟電壓的時間越短， MOS管打開的速度就越快。同樣，假如MOS管的GS工作電壓 從開啟就 就降到0V的時間 越短， 那么MOS管關閉速度就越快。

       我們 所應用的正弦波集成ic輸出直接驅(qū)動 MOS或用三極管放大后再驅(qū)動MOS的方法，實際上在瞬時驅(qū)動電流這一方面是一個重大缺陷。采用TC4420等專用 MOS管驅(qū)動芯片，可以更好地驅(qū)動 MOS管，這種芯片通常具有較大的瞬時輸出電流，并與 TTL電平輸入相兼容。當然，我們在設計mos管驅(qū)動電路時也需要注意以下兩點：

2、因為MOS管柵極高輸入電阻的性能 ，只需細微的靜電或干擾就會使 MOS管產(chǎn)生偏移，因此建議 MOS管 G S管之間并聯(lián)一個10 K電阻來降低輸入阻抗。若擔心附近電力線的干擾耦合過來，產(chǎn)生瞬間高壓擊穿MOS管，則可在GS之間再并聯(lián)約18 V的TVS瞬態(tài)抑制二極管， TVS可被認為是一種快速響應的穩(wěn)定二極管，其瞬間可承受的功率高達數(shù)百至數(shù)千瓦，可用于吸收瞬間的干擾脈沖。